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SI5509DC-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SI5509DC-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 4.5W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Basis-Teilenummer | SI5509 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 52mOhm @ 5A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 6.6nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 455pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.1A, 4.8A |
Auf Lager 70 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1
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