SI5475DC-T1-E3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SI5475DC-T1-E3 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 31mOhm @ 5.5A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 1.3W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 29nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 66 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1