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SI5441DC-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI5441DC-T1-E3
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 55mOhm @ 3.9A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.3W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 1206-8 ChipFET™
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 94 pcs

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