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SI4936BDY-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SI4936BDY-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 2.8W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Basis-Teilenummer | SI4936 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 35mOhm @ 5.9A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 15nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 530pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.9A |
Auf Lager 2455 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1
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