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SI4931DY-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI4931DY-T1-E3
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOICs
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer SI4931
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 350µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 52nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6.7A

Auf Lager 21357 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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