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SI4886DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI4886DY-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.56W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 77 pcs

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