SI4668DY-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SI4668DY-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 10.5mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 42nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1654pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 16.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 83 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.48 | $0.47 | $0.46 |
Minimale: 1