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SI4666DY-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SI4666DY-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±12V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 10mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 34nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1145pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 16.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Auf Lager 3287 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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