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SI4455DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI4455DY-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 295mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 5.9W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1190pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 5815 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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