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SI4447DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI4447DY-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 72mOhm @ 4.5A, 15V
Verlustleistung (Max.) 1.1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 14nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 805pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 10V

Auf Lager 2056 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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