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SI4196DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI4196DY-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 27mOhm @ 8A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta), 4.6W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 830pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 63 pcs

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