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SI4102DY-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI4102DY-T1-E3
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 158mOhm @ 2.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 370pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 95 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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