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SI3905DV-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI3905DV-T1-E3
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1.15W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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