SI3451DV-T1-GE3
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SI3451DV-T1-GE3 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 115mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 6-TSOP |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 5.1nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 250pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 83 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1