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SI3441BDV-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI3441BDV-T1-E3
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 860mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.45A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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