Image is for reference only , details as Specifications
SI2365EDS-T1-GE3
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SI2365EDS-T1-GE3 |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 32mOhm @ 4A, 4.5V |
| Verlustleistung (Max.) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-236 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 36nC @ 8V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 33000 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.09 | $0.09 | $0.09 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
