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SI2337DS-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI2337DS-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max.) 17nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 500pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 3245 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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