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SI2304BDS-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI2304BDS-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 70mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 750mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Gate Charge (Qg) (Max.) 4nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 225pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 45756 pcs

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