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SI1988DH-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI1988DH-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1.25W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Teilenummer SI1988
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 168mOhm @ 1.4A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket SC-70-6 (SOT-363)
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.1nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 110pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.3A

Auf Lager 92 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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