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SI1926DL-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI1926DL-T1-E3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 510mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Teilenummer SI1926
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Lieferanten-Gerätepaket SC-70-6 (SOT-363)
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 18.5pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 370mA

Auf Lager 27864 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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