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SI1913EDH-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI1913EDH-T1-E3
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Cut Tape (CT)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 570mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basis-Teilenummer SI1913
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 490mOhm @ 880mA, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket SC-70-6 (SOT-363)
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 880mA

Auf Lager 82 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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