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SI1900DL-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI1900DL-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 300mW, 270mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 480mOhm @ 590mA, 10V
Lieferanten-Gerätepaket SC-70-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 630mA (Ta), 590mA (Ta)

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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