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SI1304BDL-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI1304BDL-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SC-70-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 2.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 100pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 900mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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