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SI1036X-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI1036X-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 220mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket SC-89-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.2nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 36pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 610mA (Ta)

Auf Lager 74 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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