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SI1016X-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI1016X-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Basis-Teilenummer SI1016
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket SC-89-6
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.75nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 485mA, 370mA

Auf Lager 34641 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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