Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
IRFD113
| Hersteller: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IRFD113 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Siliconix |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 800mOhm @ 800mA, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 1W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 7nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 200pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 800mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 85 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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