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IRFBF20L

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFBF20L
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 38nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 490pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 83 pcs

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