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IRFBC30ASTRRPBF

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFBC30ASTRRPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 74W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 510pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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