IRF9Z10
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRF9Z10 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 43W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220AB |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 12nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 270pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 64 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.55 | $1.52 | $1.49 |
Minimale: 1