2N6660JTVP02
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | 2N6660JTVP02 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Vishay / Siliconix |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3Ohm @ 1A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-205AD (TO-39) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 50pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 990mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Auf Lager 99 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1