Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
VS-GT200TP065N
| Hersteller: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | VS-GT200TP065N |
| Beschreibung: | IGBT |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 600W |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | No |
| Paket / Fall | INT-A-Pak |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | INT-A-PAK |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.12V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 221A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 60µA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 77 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $95.44 | $93.53 | $91.66 |
Minimale: 1
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