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VS-GP300TD60S

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: VS-GP300TD60S
Beschreibung: IGBT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ PT, Trench
Teilstatus Active
Leistung - Max 1136W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Dual INT-A-PAK (3 + 8)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Dual INT-A-PAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.45V @ 15V, 300A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 580A
Strom - Collector Cutoff (Max) 150µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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