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VS-GB50YF120N

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: VS-GB50YF120N
Beschreibung: IGBT 1200V 66A 330W ECONO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 330W
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket ECONO2 4PACK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 4.5V @ 15V, 75A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 66A
Strom - Collector Cutoff (Max) 250µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 76 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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