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VS-GB100TP120U

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: VS-GB100TP120U
Beschreibung: IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 735W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall INT-A-Pak
Betriebstemperatur -
Lieferanten-Gerätepaket INT-A-PAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150A
Eingangskapazität (Cies) 4.3nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 2mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 69 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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