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VS-GB100TH120U

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: VS-GB100TH120U
Beschreibung: IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ NPT
Teilstatus Last Time Buy
Leistung - Max 1136W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Double INT-A-PAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.6V @ 15V, 100A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200A
Eingangskapazität (Cies) 8.45nF @ 20V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 69 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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