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VS-FB190SA10

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: VS-FB190SA10
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id 4.35V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.5mOhm @ 180A, 10V
Verlustleistung (Max.) 568W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-227
Gate Charge (Qg) (Max.) 250nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10700pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 190A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 150 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$28.94 $28.36 $27.79
Minimale: 1

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