Image is for reference only , details as Specifications

VS-10ETF12-M3

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: VS-10ETF12-M3
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Tube
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-2
Basis-Teilenummer 10ETF12
Kapazität - Vr, F -
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AC
Reverse Recovery Time (trr) 310ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 100µA @ 1200V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 10A
Betriebstemperatur - Kreuzung -40°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.33V @ 10A

Auf Lager 99 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.71 $3.64 $3.56
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SCS306AJTLL
ROHM Semiconductor
$0
IDW40E65D1FKSA1
Infineon Technologies
$3.04
STPSC8H065G-TR
STMicroelectronics
$0
SCS304AJTLL
ROHM Semiconductor
$0
STTH12T06DI
STMicroelectronics
$2.81