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UGB8JT-E3/45

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: UGB8JT-E3/45
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Tube
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Teilenummer UGB8J
Kapazität - Vr, F -
Lieferanten-Gerätepaket TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 30µA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 8A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.75V @ 8A

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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