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SE10FJHM3/H

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: SE10FJHM3/H
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Tape & Reel (TR)
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DO-219AB
Kapazität - Vr, F 7.5pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket DO-219AB (SMF)
Reverse Recovery Time (trr) 780ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 5µA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 1A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 175°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.05V @ 1A

Auf Lager 74 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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