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SE10FJ-M3/I
| Hersteller: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Datenblatt: | SE10FJ-M3/I |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-219AB |
| Kapazität - Vr, F | 7.5pF @ 4V, 1MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | DO-219AB (SMF) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 780ns |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 5µA @ 600V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 1A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.05V @ 1A |
Auf Lager 81 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.07 | $0.07 | $0.07 |
Minimale: 1
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