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S1FLJ-GS18

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: S1FLJ-GS18
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DO-219AB
Kapazität - Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket DO-219AB (SMF)
Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs
Strom - Reverse Leakage - Vr 10µA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 700mA
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.1V @ 1A

Auf Lager 98 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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