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NSB8MTHE3_A/I

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: NSB8MTHE3_A/I
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Tape & Reel (TR)
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Kapazität - Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-263AB
Strom - Reverse Leakage - Vr 10µA @ 1000V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 8A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.1V @ 8A

Auf Lager 89 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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