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EGF1BHE3_A/I

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: EGF1BHE3_A/I
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DO-214BA
Kapazität - Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket DO-214BA (GF1)
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 1µA @ 100V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 1A
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 175°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1V @ 1A

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.20 $0.20 $0.19
Minimale: 1

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