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19MT050XF
| Hersteller: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | 19MT050XF |
| Beschreibung: | MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Verpackung | Bulk |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 1140W |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 16-MTP Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 220mOhm @ 19A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 16-MTP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 160nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 7210pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 31A |
Auf Lager 87 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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