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TPH3208LDG

Hersteller: Transphorm
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPH3208LDG
Beschreibung: GANFET N-CH 650V 20A PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Transphorm
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±18V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 130mOhm @ 13A, 8V
Verlustleistung (Max.) 96W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 3-PQFN (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max.) 14nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 760pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 306 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.35 $11.12 $10.90
Minimale: 1

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