TPH3206PSB
Hersteller: | Transphorm |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TPH3206PSB |
Beschreibung: | GANFET N-CH 650V 16A TO220AB |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Transphorm |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±18V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 8V |
Verlustleistung (Max.) | 81W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220AB |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 6.2nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 720pF @ 480V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 407 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$9.71 | $9.52 | $9.33 |
Minimale: 1