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TPD3215M
| Hersteller: | Transphorm |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | TPD3215M |
| Beschreibung: | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Transphorm |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Verpackung | Bulk |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 470W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 28nC @ 8V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2260pF @ 100V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 70A (Tc) |
Auf Lager 67 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $178.83 | $175.25 | $171.75 |
Minimale: 1
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