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TP65H050WS
| Hersteller: | Transphorm |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TP65H050WS |
| Beschreibung: | GANFET N-CH 650V 34A TO247-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Transphorm |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 119W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 24nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1000pF @ 400V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 34A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
Auf Lager 393 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $15.50 | $15.19 | $14.89 |
Minimale: 1
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