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TTC0002(Q)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: TTC0002(Q)
Beschreibung: TRANS NPN 160V 18A TO-3PL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 180W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3PL
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 30MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P(L)
Vce Sättigung (Max.) 2V @ 900mA, 9A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 18A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 1A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 160V

Auf Lager 57 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.63 $2.58 $2.53
Minimale: 1

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