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TPN8R903NL,LQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPN8R903NL,LQ
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A TSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.9mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta), 22W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 820pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2254 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.66 $0.65 $0.63
Minimale: 1

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